ในการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ปัจจุบันที่ก้าวข้ามขีดจำกัดแบบเดิมไปสู่การซ้อนทับแบบ 3D และการรวมระบบที่แตกต่างกัน (Heterogeneous Integration) การจัดการความร้อนได้กลายเป็นข้อจำกัดหลักของประสิทธิภาพระบบ แทนที่จะเป็นเพียงปัจจัยรองในการออกแบบเหมือนในอดีต เมื่ออุปกรณ์มีขนาดเล็กลงและเลเยอร์บางลงในระดับนาโนเมตร คุณสมบัติการนำความร้อนแบบดั้งเดิมจะไม่สามารถนำมาประยุกต์ใช้ได้โดยตรง เนื่องจากความร้อนจะถูกกักขังและได้รับอิทธิพลจากรอยต่อของวัสดุ (Interface-dominated) มากขึ้น
รายงานฉบับนี้เน้นย้ำถึงความจำเป็นของกระบวนการออกแบบแบบ 'Thermal-first' ซึ่งอาศัยข้อมูลการวัดค่าความร้อนที่แม่นยำตั้งแต่ระยะเริ่มต้น เพื่อลดความไม่แน่นอนในการจำลองแบบจำลอง (Modeling) และป้องกันปัญหาการออกแบบใหม่ที่มีค่าใช้จ่ายสูงในภายหลัง โดยครอบคลุมประเด็นสำคัญ เช่น ความต้านทานความร้อนที่รอยต่อ (Thermal Boundary Resistance) ในแพ็กเกจจิ้งขั้นสูง และโครงสร้างการจ่ายพลังงานจากด้านหลัง (Backside Power Delivery) ที่สร้างคอขวดความร้อนภายในอุปกรณ์
